型号:IRF630SPBF | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 描述:MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
系列 | - |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 9A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 400 毫欧 @ 5.4A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 43nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 800pF @ 25V |
功率_最大 | 3W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | TO-263(D2Pak) |
包装 | 管件 |
供应商
深圳市三得电子有限公司 | 销售部13509684848 |
北京人上科技有限公司 | 刘先生13910052844(微信同步) |
深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
上海金庆电子科技京城市场部 | 陈小姐 付先生086-021-51872165/51872561 |
深圳市励芯恒智能科技有限公司 | 雷先生0755-23487994 |
深圳市涛能电子科技有限公司 | 朱成平13537790913 |
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北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844(微信同步) |
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